来源：经济日报新闻客户端  

　　河北保定近日迎来第三代半导体产业重要突破——河北同光半导体股份有限公司国家级企业技术中心正式揭牌，同时年产20万片碳化硅单晶衬底项目全面启动。该项目总投资8.82亿元，目标产品为8英寸碳化硅衬底，预计2027年实现完全投产。

　　碳化硅单晶衬底是支撑新能源汽车、5G通信、光伏发电等的核心基础材料。同光半导体凭借十余年技术攻关，成功突破8英寸导电型碳化硅晶体生长技术，目前已在保定布局500余台晶体生长炉。“从4英寸到8英寸的技术跨越，不仅是尺寸的突破，更是材料性能的大幅提升。”同光半导体科技项目经理马林表示，相较于当前主流的6英寸衬底，8英寸产品可使芯片产出量增加近90%，显著降低器件成本。企业已攻克高纯度原料合成、低位错密度缺陷控制等62项核心技术，累计获得授权专利70余项。

　　保定市的战略性布局为产业发展注入强劲动能。《保定市第三代半导体产业发展三年行动计划》构建起“基础研究—中试孵化—规模量产”的创新生态链。依托与中国科学院半导体研究所共建的联合研发中心，保定已形成从晶体生长、超精密加工到检验检测的完整碳化硅衬底产业链。

　　随着保定市涞源县10万片衬底项目达产和保定新基地建设，同光半导体正加大创新投入，为企业的长远发展和行业的进步注入源源不断的动力。同光半导体股份有限公司董事长郑清超表示，公司将进一步加大研发投入，努力攻克关键核心技术难题，继续加强在大尺寸碳化硅衬底制备技术上的研发探索，围绕国家重大战略需求，为第三代半导体产业发展作出更大贡献。

　　保定市发改委创新和高技术发展科科长崔旭表示，当前全市研发投入强度已提升至3.2%，保定在第三代半导体领域的技术成果转化效率较行业平均水平高出40%，专利授权周期缩短至60个工作日。

（责任编辑：张雪）