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韩国加速推进半导体设备国产化
2025/07/28来源：参考消息网
参考消息网7月27日报道据《日本经济新闻》网站7月25日报道，韩国正加速推进半导体制造设备国产化。LG电子已于7月宣布进军在尖端半导体生产不可或缺的关键设备领域，设备巨头韩美半导体也计划于2026年启用新工厂。目前，全球半导体设备市场由美欧日企业主导，韩国份额仅占2%。韩国正借助其优势领域——生成式人工智能(AI)半导体产品的需求增长，发力该领域特制化设备，以寻求突破。
LG将着手开发新一代“混合键合机”，这是连接半导体晶圆的关键设备“键合机”的升级产品。对于以家电和显示器为主营业务的LG而言，其半导体设备业务此前基本停留在研发阶段。据韩国媒体报道，该公司研究人员日前在首尔郊区一场半导体展会上宣布，计划于2028年前完成“混合键合机”的研发。该报道还评价称，LG有望成为“半导体设备市场的潜在黑马”。
LG进军半导体设备制造领域的一个重要契机，是高带宽内存(HBM)市场在生成式AI浪潮下的持续扩张。HBM领域是韩国企业的强项，SK海力士和三星电子合计占据全球约90%的市场份额。法国约尔情报公司预测，到2030年，全球HBM销售额有望达到约980亿美元，约为2025年的3倍。
HBM需要通过垂直堆叠内存芯片来制造。在此过程中，用于连接这些芯片的设备正是混合键合机。在半导体制造流程中，这属于晶圆刻蚀电路后的“后道工序”。随着堆叠多芯片以提升性能的技术不断发展，后道工序的重要性日益凸显。相比东京电子等技术巨头垄断的“前道工序”，这一领域为韩国等后来者提供了赶超机会。
业内人士介绍，目前HBM制造主要采用“热压键合机”，通过加热粘合剂实现连接。这与将普通芯片贴合到基板上的常规键合机不同，是专为HBM生产定制的设备。
HBM通过增加堆叠层数来提升数据容量和传输速度。然而，层数越多，芯片越密集，变形和发热的风险也随之增高。混合键合机无需粘合剂即可实现接合，因此能制造出更薄、密度更高的半导体。
在热压键合机领域占据全球九成份额的韩美半导体，计划投入约1000亿韩元(约合7200万美元)，在仁川市新建混合键合机专用工厂，目标是在2026年投产。
韩美半导体拥有与HBM制造相关的120项专利，并正与韩国本土的半导体薄膜沉积(成膜)、清洗设备制造商开展合作。该公司明确表示：“要在2030年前跻身全球设备供应商前十。”
据业内人士透露，SK海力士和三星电子也计划，为量产新一代HBM，于2026年至2027年在其半导体工厂全面引入混合键合机。
对韩国而言，半导体制造设备国产化是长期存在的课题。半导体制造涉及上千道工序，需要光刻、清洗等多种精密设备。该领域长期由美国应用材料、日本东京电子和荷兰阿斯麦等国际巨头主导供应。
日本经济产业省资料显示，韩国在全球半导体设备市场的份额仅为2%。尽管在热压键合机等少数领域占据领先地位，但韩国距离实现半导体产业链设备的全面国产化仍很遥远。出于经济安全考量，韩国政府方面也在一直呼吁提升设备与材料的自给率，2020年起每年拨出约1万亿韩元预算用于相关研发。
韩国半导体产业协会常务理事安基铉(音)估计，韩国半导体制造商所使用的设备中，按金额计算的自产率仅约为20%。他表示：“在(结构相对简单的)键合机领域，国产化可能会取得进展，但在其他工艺环节，日美技术实力过于突出，难以追赶。短期内依赖海外采购的局面不会改变。”（编译/沈红辉）